得益于晶圆减薄工艺与创新的封装，功率MOSFET在不断进步

SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管，它们很可能会持续显著地增加功率转换效率。但是，一直表现良好的硅功率MOSFET现在占市场统治地位，未来很多年，这种现状仍将持续下去。

一种新颖的晶圆背面减薄工艺

石墨烯，石墨单层，由于其特殊的电子特性已经广泛地被很多研究人员所重视。沉积在各种基地上的石墨烯薄膜的表征相比于沉积在SiO2上石墨烯薄膜表征一直是一个艰巨的任务。

日内瓦，瑞士，2014年11月27日- LEMSYS SA公司，全球功率半导体行业测试设备的领导企业，正式宣布其针对高压DBC衬板测试的全自动测试产线已经在中国生产IGBT和MOSFET最知名的制造商投入运行。